5%以上

的功率损耗，适用于

12V

输入

直流 - 直流

同步降压应用，包括先进的电信和½络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本

(Ultrabook)

和笔记本电脑等。

IRFHE4250D

配备

IR

新一代硅技术，

并采用了适合背面贴装的

6×6 PQFN

顶部外露纤薄封装，

为电源?？榇锤喾庾把≡?。

这款封装结合了出色的散热性½、½导通电阻

(Rds(on))

与栅极电荷

(Qg)，提供卓越的功率密度和较½的开关损耗，从而缩

减电路板尺寸，提升整½系统效率。

IR

亚太区销售副总裁½大伟表示：

“高达

60A

额定值的

IRFHE4250D FastIRFET MOSFET

是全球首款顶部外露电源?？槠骷?，

提供行业领先的功率密度，有效满足要求顶尖效率的高性½

直流 - 直流

应用?！?/div>