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![]() IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN 顶部外露电源??槠骷?/div> 为 直流 - 直流 应用提供卓越效率 2014 年 8 月 13 日 全球功率半导½和管理方案领导厂商 – ½际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 推出 IRFHE4250D FastIRFET 双功 率 MOSFET,藉以扩充电源??樽榧盗?。新款 25V 器件在 25A 的电流下½够比其它顶级的传统电源??椴芳跎?/div> 5%以上 的功率损耗,适用于 12V 输入 直流 - 直流 同步降压应用,包括先进的电信和½络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 和笔记本电脑等。 IRFHE4250D 配备 IR 新一代硅技术, 并采用了适合背面贴装的 6×6 PQFN 顶部外露纤薄封装, 为电源??榇锤喾庾把≡?。 这款封装结合了出色的散热性½、½导通电阻 (Rds(on)) 与栅极电荷 (Qg),提供卓越的功率密度和较½的开关损耗,从而缩 减电路板尺寸,提升整½系统效率。 IR 亚太区销售副总裁½大伟表示: “高达 60A 额定值的 IRFHE4250D FastIRFET MOSFET 是全球首款顶部外露电源??槠骷?, 提供行业领先的功率密度,有效满足要求顶尖效率的高性½ 直流 - 直流 应用?!?/div>
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